1
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
) Tested with pulses t
p
= 300 s, duty cycle
2% Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 s, Schaltverhltnis
2%
1
2.
5
ma
x
1.
3
0
.
1
1.1
2.9
0.1
0.4
1
2
3
Type
Code
1.9
BAT54 ...A ...C ...S
Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/ Doppel-Dioden fr die Oberflchenmontage
Version 2004-03-10
Power dissipation Verlustleistung
310 mW
Repetitive peak reverse voltage
30 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
SOT-23
Kunststoffgehuse
(TO-236)
Weight approx. Gewicht ca.
0.01 g
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25C)
Grenzwerte (T
A
= 25C)
per diode / pro Diode
BAT54, BAT54A,
BAT54C, BAT54S
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
I
FAV
200 mA
1
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
I
FRM
300 mA
1
)
Peak forward surge current
Stostrom-Grenzwert
t
p
10 ms
t
p
5 s
I
FSM
I
FSM
1 A
8 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
30 V
Junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
125C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
- 55...+ 150C
Characteristics (T
j
= 25C)
Kennwerte (T
j
= 25C)
Forward voltage - Durchlaspannung
2
)
I
F
= 0.1 mA
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 30 mA
I
F
= 100 mA
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
< 240 mV
< 320 mV
< 400 mV
< 500 mV
< 1000 mV
Leakage current - Sperrstrom
2
)
V
R
= 25 V
V
R
= 30 V
I
R
I
R
< 2 A
< 3 A
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
Schottky-Diodes
BAT54 ...A ...C ...S
Characteristics (T
j
= 25C)
Kennwerte (T
j
= 25C)
Max. junction Capacitance Max. Sperrschichtkapazitt
V
R
= 1 Vdc, f = 1 MHz
C
T
10 pF
Reverse recovery time - Sperrverzug
I
F
= 10 mA ber / through I
R
= 10 mA bis / to I
R
= 1 mA
t
rr
< 5 ns
Critical rate of rise of voltage
Kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit
dv/dt
10000 V/s
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
R
thA
420 K/W
1
)
Outline Gehuse
Pinning Anschlubelegung
Marking Stempelung
Single diode Einzeldiode
1 = A 2 = n.c. 3 = K
BAT54 = L4
or / oder = KL1
Double diode, common anode
Doppeldiode, gemeins. Anode
1 = K1 2 = K2 3 = A1 / A2
BAT54A = L42
or / oder = KL2
Double diode, common cathode
Doppeldiode, gemeins. Katode
1 = A1 2 = A2 3 = K1 / K2
BAT54C = L43
or / oder = KL3
Double diode, series connect.
Doppeldiode, Reihenschaltung
1 = A1 2 = K2 3 = K1 / A2
BAT54S = L44
or / oder = KL4
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