1
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhltnis
#
2%
1
1
2
3
Type
Code
2.1
0
.
1
2
0.1
1
0.1
1.
2
5
0
.
1
0.3
1.3
BAT54W ...AW ...CW ...SW
Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Double-Diodes
Schottky-Barrier Doppel-Dioden fr die Oberflchenmontage
Version 21.01.2004
Power dissipation Verlustleistung
200 mW
Repetitive peak reverse voltage
30 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
SOT-323
Kunststoffgehuse
Weight approx. Gewicht ca.
0.01 g
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
per diode / pro Diode
BAT54W-series
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
I
FAV
200 mA
1
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
I
FRM
300 mA
1
)
Peak forward surge current
t
p
#
10 ms
I
FSM
1 A
Stostrom-Grenzwert
t
p
#
5
:
s
I
FSM
8 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
30 V
Junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
125
/
C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
- 55...+ 150
/
C
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Forward voltage - Durchlaspannung
2
)
I
F
= 0.1 mA
V
F
< 240 mV
I
F
= 1 mA
V
F
< 320 mV
I
F
= 10 mA
V
F
< 400 mV
I
F
= 30 mA
V
F
< 500 mV
I
F
= 100 mA
V
F
< 650 mV
Leakage current - Sperrstrom
2
)
V
R
= 25 V
I
R
< 2
:
A
V
R
= 30 V
I
R
< 3
:
A
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
1
2
3
1
2
3
1
2
3
1
2
3
Schottky-Diodes
BAT54W ...AW ...CW ...SW
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Max. junction Capacitance Max. Sperrschichtkapazitt
C
T
10 pF
V
R
= 1 Vdc, f = 100 kHz ... 1 MHz
Reverse recovery time - Sperrverzug
t
rr
< 5 ns
I
F
= 10 mA ber / through I
R
= 10 mA bis / to I
R
= 1 mA
Critical rate of rise of voltage
dv/dt
10000 V/
:
s
Kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit
Thermal resistance junction to ambient air
R
thA
620 K/W
1
)
Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
Outline Gehuse
Pinning Anschlubelegung
Marking Stempelung
Single diode Einzeldiode
1 = A 2 = n.c. 3 = K
BAT54W = L4
or / oder KL1
Double diode, common anode
Doppeldiode, gemeins. Anode
1 = K1 2 = K2 3 = A1 / A2
BAT54AW = 42
or / oder KL2
Double diode, common cathode
Doppeldiode, gemeins. Katode
1 = A1 2 = A2 3 = K1 / K2
BAT54CW = 43
or / oder KL3
Double diode, series connect.
Doppeldiode, Reihenschaltung
1 = A1 2 = K2 3 = K1 / A2
BAT54SW = 44
or / oder KL4
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