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Электронный компонент: DAF814A

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1
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschludrhte in 3 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten
370
28.02.2002
DAF 811 A/K ... DAF 814 A/K (1.2 W)
Fast Switching Rectifier Arrays
Schnelle Gleichrichter Stze
Nominal power dissipation
1.2 W
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
100...400 V
Periodische Spitzensperrspannung
9 Pin-Plastic case
23 x 2.6 x 4.5 [mm]
9 Pin-Kunststoffgehuse
Weight approx. Gewicht ca.
0.6 g
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging: bulk
see page 22
Standard Lieferform: lose im Karton
s. Seite 22
"DA 811 A...8110 A": com. anodes / gem. Anoden
"DA 811 K...8110 K" : com. cathodes / gem. Kathoden
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stospitzensperrspannung
V
RSM
[V]
DAF 811 A/K
100
120
DAF 814 A/K
400
480
Max. average forward rectified current, R-load,
T
A
= 25
/
C
for one diode operation only
I
FAV
600 mA
1
)
per diode for simultaneous operation
I
FAV
150 mA
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
T
U
= 25
/
C
fr eine einzelne Diode
I
FAV
600 mA
1
)
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb
I
FAV
150 mA
1
)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
T
A
= 25
/
C
I
FSM
30 A
Stostrom fr eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
23
0.2
2.6
4.
5
8 x 2.54
0
.5
4.
5
1
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschludrhte in 3 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten
371
28.02.2002
DAF 811 A/K ... DAF 814 A/K (1.2 W)
Max. power dissipation Verlustleistung
T
A
= 25
/
C
P
tot
1.2 W
1
)
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
50...+150
/
C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
50...+150
/
C
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
T
j
= 25
/
C
I
F
= 1 A
V
F
< 1.3 V
Durchlaspannung
Leakage current
T
j
= 25
/
C
V
R
= V
RRM
I
R
< 10
:
A
Sperrstrom
T
j
=100
/
C
V
R
= V
RRM
I
R
< 90
:
A
Reverse recovery time
I
F
= 10 mA through/ber
t
rr
< 350 ns
Sperrverzug
I
R
= 10 mA to/auf I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
R
thA
< 85 K/W
1
)
Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft