ChipFind - документация

Электронный компонент: DB4

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1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gltig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
420
01.10.2002
DB 3, DB 4
Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC)
Bidirektionale Si-Trigger-Dioden (DIAC)
Breakover voltage
28 ... 45 V
Durchbruchsspannung
Peak pulse current
2 A
Max. Triggerimpuls
Glass case
DO-35
Glasgehuse
SOD-27
Weight approx.
0.13 g
Gewicht ca.
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Maximum ratings
Grenzwerte
Power dissipation Verlustleistung
T
A
= 50
/
C
P
tot
150 mW
1
)
Peak pulse current (120 pulse repetition rate)
t
P
#
10
:
s
I
PM
2 A
1
)
Max. Triggerstrom (120 Impulse)
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
40...+100
/
C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
40...+150
/
C
Characteristics
Kennwerte
Breakover voltage
dV/dt = 10V/
:
s
DB 3
V
BO
28 ... 36 V
Durchbruchspannung DB
4
V
BO
35 ... 45 V
Breakover current Durchbruchstrom
V = 98 % V
BO
I
BO
< 200
:
A
Asymmetry of breakover voltage
*
V
(BO)F
- V
(BO)R
*
)
V
BO
< 3.8 V
Unsymmetrie der Durchbruchspannug
Foldback voltage Spannungs-Rcksprung
dV/dt = 10V/
:
s
)
V
F/R
> 5 V
)
I = I
BO
to/auf I
F
= 10 mA
Thermal resistance junction to ambient air
R
thA
< 60 K/W
1
)
Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
421
01.10.2002
Typical characteristic of a DIAC Typische DIAC-Kennlinie
Test circuit for a thyristor trigger Meschaltung fr Thyristor-Zndschaltung
DB 3, DB 4