Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
RRM
1600
V
repetitive peak reverse voltage
Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
I
FRMSM
80
A
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
T
C
= 100C
I
d
134
A
output current
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
I
FSM
650
A
surge forward current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
550
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
2100
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
1500
As
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
V
CES
1200
V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 80C
I
C
70
A
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
t
p
= 1ms, T
C
= 80C
I
CRM
150
A
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
T
C
= 25C
P
tot
500
W
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung
V
GE
20
V
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
1200
V
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
T
C
= 80C
I
F
35
A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t
p
= 1ms
I
FRM
70
A
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Prfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
2,5
kV
insulation test voltage
NTC connected to baseplate
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
min. typ. max.
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 100A
v
F
1,35
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,75
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
6,3
m
forward slope resistance
Sperrstrom
T
vj
= T
vj max,
v
R =
V
RRM
i
R
5
mA
reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlsse-Chip
T
C
= 25C
R
AA`+KK`
1
m
lead resistance, terminals-chip
prepared by: Ralf Jrke
date of publication: 13.12.2000
approved by: Lothar Kleber
revision: 1
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
A 34/00
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
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N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
IGBT
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
T
vj
= 25C, i
C
= 70A, v
GE
= 15V
v
CE sat
2,05 2,75
V
collector-emitter saturation voltage
T
vj
= 125C, i
C
= 70A, v
GE
= 15V
2,40
Gate-Emitter-Schwellspannung
T
vj
= 25C, i
C
= 3mA, v
GE
= v
CE
v
GE(TO)
4,5
5,5
6,5
V
gate-emitter threshold voltage
Eingangskapazitt
T
vj
= 25C, f
0
= 1MHz,
C
ies
5,1
nF
input capacitance
v
CE
= 25V, v
GE
= 0V
Kollektor-Emitter Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
i
CES
10 500
A
collector-emitter cut-off current
T
vj
= 125C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
500
Gate-Emitter Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 0V, v
GE
= 20V
i
GES
400
nA
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 0V, v
EG
= 20V
i
EGS
400
nA
gate-leakage current
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaspannung
T
vj
= 25C, i
F
= 35A
v
F
1,85 2,40
V
forward voltage
T
vj
= 125C, i
F
= 35A
1,75
Sperrverzgerungsladung
i
FM
= 35A, -di/dt = 900A/s, v
R
= 600V
Q
r
recovered charge
T
vj
= 25C
3,6
As
T
vj
= 125C
7,6
As
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Gleichrichter / Rectifier,
= 120rect
R
thJC
max. 0,70
C/W
thermal resistance, junction to case
Transistor / Transistor, DC
max. 0,25
C/W
Schnelle Diode / Fast diode, DC
max. 0,80
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
Gleichrichter / Rectifier
R
thCK
max. 0,25
C/W
thermal resistance, case to heatsink
Transistor / Transistor
max. 0,16
C/W
Schnelle Diode / Fast diode
max. 0,24
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
150
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+150
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
- 40...+150
C
storage temperature
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B6
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 4
case, see appendix
page 4
Innere Isolation
Al
2
O
3
internal insulation
CTI
225
V
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance 15%
M1
4
Nm
mounting torque
Gewicht
G
typ.
185
g
weight
Kriechstrecke
12,5
mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand
T
C
= 25C
R
25
5
k
rated resistance
R
100
= 493
5%
Verlustleistung
T
C
= 25C
P
25
max.
20
mW
power dissipation
B-Wert
R
2
= R
1
exp [B(1/T
1
- 1/T
2
)]
B
25/50
3375
K
B-value
Khlkrper / heatsinks :
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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N
B6
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC, Netz-Diode
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC, rectifier diode
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0,2633
0,1967
0,0322
0,0200
0,0300
0,0190
0,0140
0,0003
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
[
]
R
C W
thn
/
[ ]
n
s
=
-
-
=
max
1
1
:
n
n
t
thn
thJC
n
e
R
Z
Funktion
e
Analytisch
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N
B6
Grenzdurchlakennlinie / Limiting on-state characteristic i
F
= f(v
F
)
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Tvj = 150C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
v
F
[V]
i
F
[A]
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
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B6
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T
C
= f(I
d
)
Parameter: Stromrichterschaltung / converter circuit
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
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B2: 180
sin
B6: 120
rect
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120 130 140 150
I
d
[A]
T
C
[C]
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N
B6
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
T
vj
= T
vjmax
; v
R
= 0,5V
RRM
; v
RM
= 0,8V
RRM
Parameter: Durchlastrom / On-state current i
FM
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
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5A
20A
50A
200A
10
100
1000
1
10
100
- di/dt [A/s]
Q
r
[As]
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Transienter innerer Wrmewiderstand Gleichrichter / Transient thermal impedance converter Z
thJC
= f(t)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
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180 rect
120 rect
60 rect
180 sin
DC
0,00
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
0,80
0,90
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
Z
thJC
[C/W]
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N
B6
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) / Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)
v
GE
= 15V, i
C
= f(v
CE
)
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
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Tvj = 25C
Tvj = 125C
0
25
50
75
100
125
150
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
v
CE
[V]
i
C
[A]
Technische Information / Technical Information
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N
B6
Durchlakennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) / On-state characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
i
F
= f(v
F
)
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
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Tvj = 25C
Tvj = 125C
0
10
20
30
40
50
0
0,5
1
1,5
2
2,5
v
F
[V]
i
F
[A]
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NTC-Temperaturkennlinie (typisch) / NTC-temperature characteristic (typical) R = f(T)
BIP AM; R. Jrke
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0,1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
T [C]
R [k
]
PDF 
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