ChipFind - документация

Электронный компонент: LBM876Q672703-Q3974

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Semiconductor Group
1
1999-05-01
VPL06927
Besondere Merkmale
Gehusefarbe: wei
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und
Linseneinkopplung
fr alle SMT-Bestck- und Lttechniken geeignet
gegurtet (8 mm-Filmgurt)
ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3015.7
JEDEC Level 2
Features
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (8 mm tape)
ESD withstand voltage of 2 kV according to
MIL STD 883D, Method 3015.7
JEDEC Level 2
BLUE LINE
TM
Hyper Mini TOPLED
Hyper-Bright LED
LB M676
Streuung der Lichtstrke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
1.6.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
1.6.
Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert.
Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.
Typ
Type
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
flche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstrke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Lichtstrom
Luminous
Flux
I
F
= 10 mA
V
(mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LB M676
LB M676-J1
LB M676-J2
LB M676-K1
LB M676-K2
LB M676-L1
blue
colorless clear
4.0
...
6.3
5.0
...
8.0
6.3
... 10.0
8.0
... 12.5
10.0 ... 16.0
15 (typ.)
20 (typ.)
25 (typ.)
30 (typ.)
40 (typ.)
Q62703-Q3979
Opto Semiconductors
Semiconductor Group
2
1999-05-01
LB M676
Opto Semiconductors
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
40 ... + 100
C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
40 ... + 100
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100
C
Durchlastrom
Forward current
I
F
20
mA
Sperrspanung
1)
Reverse voltage
1)
V
R
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
25 C
P
tot
100
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*
)
(Padgre
16 mm
2
)
mounted on PC board*
)
(pad size
16 mm
2
)
R
th JA
580
K/W
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
*
)
PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
1999-05-01
LB M676
Opto Semiconductors
Kennwerte (
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
typ.
max.
Wellenlnge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
peak
428
nm
Dominantwellenlnge
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
dom
466
nm
Spektrale Bandbreite bei 50%
I
rel max
Spectral bandwidth at 50%
I
rel max
I
F
= 10 mA
60
nm
Abstrahlwinkel bei 50%
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50%
I
v
2
120
Grad
deg.
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
V
F
3.5
4.2
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
10
A
Temperaturkoeffizient von
dom
(
I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of
dom
(
I
F
= 10 mA)
TC
0.03
nm/K
Temperaturkoeffizient von
peak
(
I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of
peak
(
I
F
= 10 mA)
TC
0.004
nm/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
(
I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of
V
F
(
I
F
= 10 mA)
TC
V
3.1
mV/K
Semiconductor Group
4
1999-05-01
LB M676
Opto Semiconductors
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V(
) =
spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
)
Radiation characteristic
OHL00431
350
0
20
40
60
80
100
nm
%
rel
V
400
450
500
550
600
650
700
blue
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
1.0
0.8
0.6
0.4
0
10
20
40
30
OHL01660
50
60
70
80
90
100
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1999-05-01
LB M676
Opto Semiconductors
Durchlastrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Relative Lichtstrke
I
V
/
I
V(25 C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
V
OHL00432
F
F
V
5
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
6.0
10
-1
0
10
5
1
10
5
10
2
T
OHL00450
A
0
F
0
20
40
60
80 C 100
mA
5
10
15
20
25
30
OHL00433
F
-1
10
V (10 mA)
10
-3
-2
-1
0
1
10
10
10
10
10
0
10
1
10
2
5
5
5
5
5
mA
V
T
OHL00442
0
V
-20
0
20
40
60
C
100
A
V
(25 C)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Semiconductor Group
6
1999-05-01
LB M676
Opto Semiconductors
Mazeichnung
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrgte Ecke
Cathode mark:
bevelled edge
0.8
1.0
0.05
0.15
1.4
1.2
1.9
2.1
2.1
2.3
1.3
1.5
Cathode marking
typ. 1.5 x 1.0
0.5
0.3
Cathode
marking
GPL06928