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1999
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4516CB646
16M-WORD BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE
UNBUFFERED TYPE
DATA SHEET
Document No. M14334EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published January 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
shows major revised points.
Description
The MC-4516CB646 is a 16,777,216 words by 64 bits synchronous dynamic RAM module on which 8 pieces of
128M SDRAM:
PD45128841 are assembled.
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
16,777,216 words by 64 bits organization
Clock frequency and access time from CLK
Part number
/CAS latency
Clock frequency
Access time from CLK
(MAX.)
(MAX.)
MC-4516CB646EF-A80
CL = 3
125 MHz
6
ns
CL = 2
100 MHz
6
ns
MC-4516CB646EF-A10
CL = 3
100 MHz
6
ns
CL = 2
77 MHz
7
ns
MC-4516CB646PF-A80
CL = 3
125 MHz
6
ns
CL = 2
100 MHz
6
ns
MC-4516CB646PF-A10
CL = 3
100 MHz
6
ns
CL = 2
77 MHz
7
ns
Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
Pulsed interface
Possible to assert random column address in every cycle
Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)
Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and full page)
Programmable wrap sequence (sequential
/
interleave)
Programmable /CAS latency (2, 3)
Automatic precharge and controlled precharge
CBR (Auto) refresh and self refresh
All DQs have 10
10
% of series resistor
Single 3.3
V
0.3
V power supply
LVTTL compatible
4,096 refresh cycles/64
ms
Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27
mm)
Unbuffered type
Serial PD
5
5
Data Sheet M14334EJ2V0DS00
2
MC-4516CB646
Ordering Information
Part number
Clock frequency
MHz (MAX.)
Package
Mounted devices
MC-4516CB646EF-A80
125 MHz
168-pin Dual In-line Memory Module
8 pieces of
PD45128841G5 (Rev. E)
MC-4516CB646EF-A10
100 MHz
(Socket Type)
(10.16 mm (400) TSOP (II))
MC-4516CB646PF-A80
125 MHz
Edge connector : Gold plated
8 pieces of
PD45128841G5 (Rev. P)
MC-4516CB646PF-A10
100 MHz
34.93 mm height
(10.16 mm (400) TSOP (II))
5
5
Data Sheet M14334EJ2V0DS00
3
MC-4516CB646
Pin Configuration
168-pin Dual In-line Memory
Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
Vcc
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
Vcc
NC
V
SS
NC
NC
Vcc
/CAS
DQMB4
DQMB5
NC
/RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
(A13)
A11
Vcc
CLK1
NC
V
SS
CKE0
NC
DQMB6
DQMB7
NC
Vcc
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
Vcc
DQ52
NC
NC
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
Vcc
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
Vcc
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
Vcc
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
Vcc
DQ14
DQ15
NC
NC
V
SS
NC
NC
Vcc
/WE
DQMB0
DQMB1
/CS0
NC
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1
(A12)
Vcc
Vcc
CLK0
V
SS
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
Vcc
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
Vcc
DQ20
NC
NC
NC
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
Vcc
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
Vcc
DQ46
DQ47
NC
A0 - A11
: Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A9]
BA0
(A13),
BA1
(A12) : SDRAM Bank Select
DQ0 - DQ63
: Data Inputs/Outputs
CLK0 - CLK3
: Clock Input
CKE0
: Clock Enable Input
/CS0, /CS2
: Chip Select Input
/RAS
: Row Address Strobe
/CAS
: Column Address Strobe
/WE
: Write Enable
DQMB0
-
DQMB7
: DQ Mask Enable
SA0 - SA2
: Address Input for EEPROM
SDA
: Serial Data I/O for PD
SCL
: Clock Input for PD
V
CC
: Power Supply
V
SS
: Ground
WP
: Write Protect
NC
: No Connection
/xxx indicates active low signal.
5
Data Sheet M14334EJ2V0DS00
4
MC-4516CB646
Block Diagram
DQMB0
/CS0
/WE
DQMB2
/CS2
DQM
D0
/CS
/WE
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
D1
DQM
/CS
/WE
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
D6
DQM
/CS
/WE
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
D7
DQM
/CS
/WE
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
D3
DQM
/CS
/WE
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 4
DQM
D2
/CS
/WE
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQ 6
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 7
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQMB1
DQMB7
DQMB6
DQMB3
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
D4
DQM
/CS
/WE
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQ 4
DQ 7
DQ 6
DQ 5
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
D5
DQM
/CS
/WE
DQ 5
DQ 7
DQ 6
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQMB4
DQMB5
A0 - A11
A0 - A11 : D0 - D7
BA0
A13 : D0 - D7
BA1
A12 : D0 - D7
SERIAL PD
SCL
SDA
A0
A1
A2
SA0 SA1 SA2
WP
47
k
/RAS
/RAS : D0 - D7
/CAS
/CAS : D0 - D7
CKE0
CKE : D0 - D7
V
CC
D0 - D7
D0 - D7
SS
V
C
CLK1, CLK3
10
pF
CLK2
CLK : D2, D3, D6, D7
3.3
pF
CLK0
CLK : D0, D1, D4, D5
3.3
pF
Remarks 1. The value of all resistors is 10
except W P.
2. D0 - D7:
PD45128841 (4M words 8 bits 4 banks)
Data Sheet M14334EJ2V0DS00
5
MC-4516CB646
Electrical Specifications
All voltages are referenced to V
SS
(GND).
After power up, wait more than 100
s and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper
device operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Rating
Unit
Voltage on power supply pin relative to GND
V
CC
0.5 to +4.6
V
Voltage on input pin relative to GND
V
T
0.5 to +4.6
V
Short circuit output current
I
O
50
mA
Power dissipation
P
D
8
W
Operating ambient temperature
T
A
0 to +70
C
Storage temperature
T
stg
55 to +125
C
Caution
Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
Condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Supply voltage
V
CC
3.0
3.3
3.6
V
High level input voltage
V
IH
2.0
V
CC
+ 0.3
V
Low level input voltage
V
IL
-
0.3
+0.8
V
Operating ambient temperature
T
A
0
70
C
Capacitance (T
A
= 25
C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Test condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Input capacitance
C
I1
A0 - A11, BA0(A13), BA1(A12), /RAS,
/CAS, /WE
38
62
pF
C
I2
CLK0, CLK2
24
40
C
I3
CKE0
32
52
C
I4
/CS0, /CS2
17
29
C
I5
DQMB0 - DQMB7
7
13
Data input/output capacitance
C
I/O
DQ0 - DQ63
7
13
pF
PDF 
ZIP