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Электронный компонент: MC-4516CD641ES

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1999
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4516CD641ES, 4516CD641PS
16M-WORD BY 64-BIT
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (SO DIMM)
Document No. M14014EJ5V0DS00 (5th edition)
Date Published February 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
DATA SHEET
The mark
shows major revised points.
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Description
The MC-4516CD641ES and MC-4516CD641PS are 16,777,216 words by 64 bits synchronous dynamic RAM
module (Small Outline DIMM) on which 8 pieces of 128M SDRAM:
PD45128163 are assembled.
These modules provide high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
16,777,216 words by 64 bits organization
Clock frequency and access time from CLK
Part number
/CAS latency
Clock frequency (MAX.)
Access time from CLK (MAX.)
MC-4516CD641ES-A80
CL = 3
125
MHz
6
ns
CL = 2
100
MHz
6
ns
MC-4516CD641ES-A10
CL = 3
100 MHz
6
ns
CL = 2
77 MHz
7
ns
MC-4516CD641PS-A80
CL = 3
125
MHz
6
ns
CL = 2
100
MHz
6
ns
MC-4516CD641PS-A10
CL = 3
100 MHz
6
ns
CL = 2
77 MHz
7
ns
Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
Pulsed interface
Possible to assert random column address in every cycle
Quad internal banks controlled by BA0, BA1 (Bank Select)
Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)
Programmable wrap sequence (Sequential
/
Interleave)
Programmable /CAS latency (2, 3)
Automatic precharge and controlled precharge
CBR (Auto) refresh and self refresh
Single 3.3
V
0.3
V power supply
LVTTL compatible
4,096 refresh cycles/64
ms
Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
144-pin small outline dual in-line memory module (Pin pitch = 0.8
mm)
Unbuffered type
Serial PD
5
5
Data Sheet M14014EJ5V0DS00
2
MC-4516CD641ES, 4516CD641PS
Ordering Information
Part number
Clock frequency
MHz (MAX.)
Package
Mounted devices
MC-4516CD641ES-A80
125 MHz
144-pin Small Outline DIMM
8 pieces of
PD45128163G5 (Rev. E)
(Socket Type)
(10.16mm (400) TSOP(II))
MC-4516CD641ES-A10
100 MHz
Edge connector: Gold plated
31.75 mm height
MC-4516CD641PS-A80
125 MHz
8 pieces of
PD45128163G5 (Rev. P)
(10.16mm (400) TSOP(II))
MC-4516CD641PS-A10
100 MHz
5
5
Data Sheet M14014EJ5V0DS00
3
MC-4516CD641ES, 4516CD641PS
Pin Configuration
144-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
Vss
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
Vss
DQMB0
DQMB1
A0
A1
A2
Vss
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
Vss
NC
NC
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
CLK0
Vcc
/RAS
/WE
/CS0
/CS1
NC
Vss
NC
NC
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
Vss
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
Vcc
A6
A8
Vss
A9
A10
Vcc
DQMB2
DQMB3
Vss
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
Vss
SDA
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
Vss
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
Vcc
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
Vss
DQMB4
DQMB5
Vcc
A3
A4
A5
Vss
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
Vcc
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
Vss
NC
NC
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
CKE0
Vcc
/CAS
CKE1
NC
NC
CLK1
Vss
NC
NC
Vcc
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
Vss
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
Vcc
A7
BA0 (A13)
Vss
BA1 (A12)
A11
Vcc
DQMB6
DQMB7
Vss
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
Vcc
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
Vss
SCL
Vcc
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
/xxx indicates active low signal.
A0 - A11
: Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A8]
BA0 (A13), BA1 (A12) : SDRAM Bank Select
DQ0 - DQ63
: Data Inputs/Outputs
CLK0, CLK1
: Clock Input
CKE0, CKE1
: Clock Enable Input
/CS0, /CS1
: Chip Select Input
/RAS
: Row Address Strobe
/CAS
: Column Address Strobe
/WE
: Write Enable
DQMB0 - DQMB7 : DQ Mask Enable
SDA
: Serial Data I/O for PD
SCL
: Clock Input for PD
V
CC
: Power Supply
V
SS
: Ground
NC
: No Connection
Data Sheet M14014EJ5V0DS00
4
MC-4516CD641ES, 4516CD641PS
Block Diagram
CKE0
/CS0
A0 - A11
A0 - A11 : D0 - D7
V
CC
D0 - D7
D0 - D7
SERIAL PD
SCL
SDA
A0 A1 A2
DQMB0
DQMB4
/CS CKE
D0
UDQM
LDQM
DQ 15
DQ 14
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 10
DQ 9
DQ 8
DQMB2
DQMB6
/CS CKE
D1
UDQM
LDQM
DQMB3
DQMB7
/CS CKE
D3
UDQM
LDQM
DQMB1
DQMB5
/CS CKE
D2
UDQM
LDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 5
DQ 4
DQ 3
DQ 6
DQ 7
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 37
DQ 36
DQ 35
DQ 38
DQ 39
DQ 7
DQ 6
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 21
DQ 20
DQ 19
DQ 22
DQ 23
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 53
DQ 52
DQ 51
DQ 54
DQ 55
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 29
DQ 28
DQ 27
DQ 30
DQ 31
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 61
DQ 60
DQ 59
DQ 62
DQ 63
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 13
DQ 12
DQ 11
DQ 14
DQ 15
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 45
DQ 44
DQ 43
DQ 46
DQ 47
/RAS
/RAS : D0 - D7
/CAS
/CAS : D0 - D7
/WE
/WE : D0 - D7
V
SS
BA0
A13 : D0 - D7
CLK0
CLK : D0 - D3
C
BA1
A12 : D0 - D7
/CS CKE
D4
LDQM
UDQM
DQ 8
DQ 9
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 13
DQ 14
DQ 15
/CS CKE
D5
LDQM
UDQM
/CS CKE
D7
LDQM
UDQM
/CS CKE
D6
LDQM
UDQM
DQ 0
DQ 1
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 8
DQ 9
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ 0
DQ 1
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 5
DQ 6
DQ 7
CKE1
/CS1
CLK1
CLK : D4 - D7
DQ 15
DQ 14
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 10
DQ 9
DQ 8
DQ 7
DQ 6
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 8
DQ 9
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ 0
DQ 1
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 7
DQ 6
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 15
DQ 14
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 10
DQ 9
DQ 8
DQ 7
DQ 6
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 15
DQ 14
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 10
DQ 9
DQ 8
DQ 8
DQ 9
DQ 12
DQ 11
DQ 10
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ 0
DQ 1
DQ 4
DQ 3
DQ 2
DQ 5
DQ 6
DQ 7
Remarks 1. D0 - D7:
PD45128163 (2M words x 16 bits x 4 banks)
2. The value of all resistors is 10
.
Data Sheet M14014EJ5V0DS00
5
MC-4516CD641ES, 4516CD641PS
Electrical Specifications
All voltages are referenced to V
SS
(GND).
After power up, wait more than 100
s and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper
device operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Rating
Unit
Voltage on power supply pin relative to GND
V
CC
0.5 to +4.6
V
Voltage on input pin relative to GND
V
T
0.5 to +4.6
V
Short circuit output current
I
O
50
mA
Power dissipation
P
D
8
W
Operating ambient temperature
T
A
0 to +70
C
Storage temperature
T
stg
55 to +125
C
Caution
Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
Condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Supply voltage
V
CC
3.0
3.3
3.6
V
High level input voltage
V
IH
2.0
V
CC
+
0.3
V
Low level input voltage
V
IL
0.3
+
0.8
V
Operating ambient temperature
T
A
0
70
C
Capacitance (T
A
= 25



C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Test condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Input capacitance
C
I1
A0 - A11, BA0(A13), BA1(A12),
/RAS, /CAS, /WE
30
60
pF
C
I2
CLK0, CLK1
23
37
C
I3
CKE0, CKE1
18
30
C
I4
/CS0, /CS1
18
30
C
I5
DQMB0 - DQMB7
7
14
Data input/output capacitance
C
I/O
DQ0 - DQ63
9
18
pF